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根據(jù)Knometa Research 的《2024 年全球晶圓產(chǎn)能》報告，預(yù)計 2024 年晶圓廠產(chǎn)能擴張將相對較低，僅為 4%，因為制造商讓產(chǎn)能利用率從 2023 年的低水平中恢復(fù)過來。

許多原定于 2024 年開始運營的晶圓廠于 2022 年開始建設(shè)，但由于當(dāng)年開始的市場低迷，一些晶圓廠的開工日期被推遲到 2025 年，與許多其他原定于當(dāng)年投產(chǎn)的晶圓廠一樣。

預(yù)計 2025 年上線的發(fā)電容量將達到創(chuàng)紀(jì)錄的水平。

報告顯示，預(yù)計2025年將有2310萬片200毫米當(dāng)量晶圓/年的產(chǎn)能投入生產(chǎn)，超過2021年的1850萬片晶圓的先前最高水平。

以300毫米晶圓當(dāng)量表示，2025年每年將有1030萬片晶圓的產(chǎn)能上線。從增長率來看，與2024年的產(chǎn)能水平相比，這一數(shù)字增長了8%。

預(yù)計 2025 年將有 17 條新的 IC 生產(chǎn)生產(chǎn)線投入運營。其中包括:

HH Grace – 中國無錫 – 300 毫米晶圓代工服務(wù)

英特爾 – 美國俄亥俄州新奧爾巴尼 – 用于高級邏輯和代工的 300 毫米晶圓

JS Foundry – 日本新潟縣小千谷市 – 200 毫米 IC晶圓

Kioxia – 日本巖手縣北上市 – 用于 3D NAND 的 300 毫米晶圓

Micron – 美國愛達荷州博伊西 – DRAM 300 毫米晶圓

PXW電子 – 中國深圳 – 300mm 晶圓代工

三星 – 韓國平澤– 用于 3D NAND 和 DRAM 的 300 毫米晶圓

SK Hynix – 中國大連– 用于 3D NAND 的 300 毫米晶圓

中芯國際 – 中國上海 – 300 毫米晶圓代工

TI – 美國德克薩斯州謝爾曼 – 用于模擬和混合信號的 300 毫米晶圓

臺積電 – 中國臺灣臺南 – 300 毫米晶圓代工

UMC – 新加坡 – 300 毫米晶圓代工

集邦:美國晶圓廠將崛起

TrendForce最新研究顯示，截至2024年，中國臺灣預(yù)計將以66%的市場份額領(lǐng)先全球先進制程的半導(dǎo)體代工產(chǎn)能，其次是韓國(11%)、美國(10%)和中國(9%)。不過，到2027年，中國臺灣和韓國先進節(jié)點的半導(dǎo)體產(chǎn)能預(yù)計將分別下降到55%和8%。

值得注意的是，雖然臺積電、SK海力士、三星等半導(dǎo)體巨頭不斷加大投資額度，但作為先進制程市場份額最高的兩個地區(qū)，中國臺灣與韓國的市場份額預(yù)計將出現(xiàn)下滑。

另一方面，在政府大力推行激勵和補貼政策的美國，其先進制造工藝的全球產(chǎn)能份額預(yù)計將從 2024 年的 10% 躍升至 2027 年的 22%。

從整體晶圓代工產(chǎn)能來看，預(yù)計到 2024 年，中國臺灣將占據(jù)全球約 44% 的市場份額，其次是中國大陸 、韓國 (12%)、美國 (6%) 和日本 (2%)。預(yù)計總體趨勢將與先進節(jié)點保持一致。相比之下，預(yù)計到 2027 年，中國臺灣和韓國的整體半導(dǎo)體產(chǎn)能將分別下降至 40% 和 10%。

中國大陸的晶圓代工廠更注重擴大成熟工藝產(chǎn)能，并有政府補貼的支持，預(yù)計在全球整體市場份額中表現(xiàn)相對強勁，從 2024 年的 28% 增長到 2027 年的 31%。其成熟工藝產(chǎn)能的市場份額預(yù)計將從 2024 年的 33% 上升到 2027 年的 45%。

據(jù)朝鮮日報5月10日報道，根據(jù)美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會和波士頓咨詢集團(BCG)的預(yù)測，2022年臺灣和韓國在10納米以下最先進半導(dǎo)體生產(chǎn)中的份額分別為69％和31％，而到2032年，兩國在先進節(jié)點上的市場份額可能分別下降到47％和9％。

報道稱，韓國半導(dǎo)體生產(chǎn)份額大幅下降主要歸因于三星電子和SK海力士等主要廠商，它們目前與臺積電一起主導(dǎo)著全球先進半導(dǎo)體市場。然而，它們沒有在韓國投資，而是選擇在美國建立最新的工廠。

美國政府4月早些時候宣布，將向三星提供高達64億美元的補貼，用于擴大其德州工廠的先進芯片產(chǎn)能。此外，SK海力士計劃斥資38.7億美元在印第安納州建設(shè)先進封裝廠和人工智能產(chǎn)品研究中心。

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